Le principali attività di ricerca del Gruppo di Fisica e Tecnologia dei Semiconduttori riguardano:

• la fabbricazione mediante tecnologia MOVPE e lo studio delle proprietà fisiche di nanostrutture quasi 1-dimensionali (‘nanowires’) a base di semiconduttori III-V per le applicazioni alla nano-elettronica ed alla fotonica;

• lo sviluppo di materiali e dispositivi a base di semiconduttori II-VI (CdTe, CZT) per la realizzazione di rivelatori di raggi-X/gamma a temperatura ambiente, mediante (i) fabbricazione di strutture epitassiali da metodiche di tipo MOVPE; (ii) deposizione di film spessi su larga area mediante una innovativa tecnologia di epitassia da fase vapore (per trasporto in idrogeno, H2T-VPE);

Le ‘facilities’ sperimentali di cui il Gruppo dispone sono:

• Laboratorio di Crescita Epitassiale dotato di: (i) reattore AIXTRON per la crescita epitassiale dei semiconduttori III-V, (ii) reattore MOVPE per la crescita epitassiale dei semiconduttori II-VI; (iii) prototipo di reattore H2T-VPE (in fase di sviluppo) per la sinstesi di film eptassiali spessi di CdTe/CZT; e (iv) reattore per annealing e processi CVD da sorgente solida; (v) spettrometro di massa quadrupolo (intervallo 1-600 a.m.u.) per il monitoraggio in-situ (all’interno dei reattori) dei processi MOVPE/CVD.

• Laboratorio di preparazione chimica corredato di una cappa chimica e di una cappa a flusso laminare (Classe 100).

• Laboratorio di Spettroscopia Ottica per misure di cw-PL, riflettività, e trasmissione nell’intervallo 7-300K.

• Laboratorio di Misure Elettriche dotato di un apparato per misure di resistività (geometria van der Pauw) ed effetto Hall nell’intervallo 10-320K e con campo magnetico fino a 1.5T.

• Laboratorio di Diffrazione di raggi-X dotato di un diffrattometro Rigaku per film sottili per misure XRD sia in geometria Bragg, sia ad angolo radente.

Persone

responsabile:

• Nicola Lovergine

afferenti:

• Fisica e tecnologia dei semiconduttori
• Fisica della materia
• Tecnologie e materiali per l'elettronica
• Monitoraggio di processo di semiconduttori
• Materiali per l'ottica 

• Progettazione e realizzazione di strumentazione per la sintesi di semiconduttori
• Modeling degli effetti fluidodinamici in camere di deposizione epitassiale
• Applicazione di tecniche di monitoraggio in-situ per la deposizione di semiconduttori 

• Fabbricazione e proprietà di nanocristalli quasi-1D (nanowires) di semiconduttori composti III-V e di ossidi semiconduttori (ZnO), per l’applicazione a dispositivi nanoelettronici e nanofotonici ed a nuovi sensori di gas
• Studio e realizzazione di rivelatori X e gamma a CdTe/CZT per applicazioni in astrofisica, radiologia e medicina nucleare
• Caratterizzazione ottica, elettrica e strutturale di materiali semiconduttori
• programmi su questi argomenti finanziati dal MIUR :

Progetto PRIN 2004-2005: Sviluppo di rivelatori a CdTe per raggi X e gamma di nuova generazione: rivelatori a contatti epitassiali

Progetto PRIN 2005-2006: Crescita e proprietà di nanocristalli quasi-unidimensionali di ossidi semiconduttori

• Programmi finanziati dall’Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN)(Progetti triennali SIRTOD e SINEC) 
• Programmi finanziati dall’Agenzia Spaziale Italiana (ASI). 

 Informazione non disponibile

null

null

null

null

null

null